版主： Softfist
snowman 写了： 2025年 10月 14日 21:09这不是打自己脸吗，刚咧咧玩什么鸡巴pag quencher比例，现在又变成没有人知道了。
Krf polymer在初期的确用来作为EUV 的主要tv, 然而你用krf chemisty 直接硬套在EUV litho上，这就太扯淡了。polymer 是主干，然而能让ev光刻胶work的关键是添加剂。
EUV 光刻胶的主要挑战是边缘粗糙度，你连这点都不知道，说明完全不懂
到现在还吹IBM那帮骗子搞得2纳米，说明你狗屁不通。IBM连14纳米都做的跟屎一样
屁
添了加剂 PAG就是一种 TPS c 8 quenc her也就一种 因为没人知道 EVU光刻 到底那光起什么作用 除了调那比例 调底下辅层 只能瞎猫碰死老鼠
你说那些d e fect 也是基本靠瞎调
你丫根本就不懂光刻过程
foofy 写了： 2025年 10月 14日 13:34新凯来采用“深紫外光刻（DUV）+自对准四重成像（SAQP）”工艺，绕开EUV限制，目标实现7nm/5nm制程芯片自主制造。同时，其EUV光源预研（13.5nm等离子体光源）已启动，瞄准3nm以下制程。
新凯来EUV光刻机产线良品率突破70%。这一良率水平被视为技术成熟的关键指标，接近ASML早期商业化阶段的初期表现。
EUV光刻技术采用激光诱导放电等离子体（LDP）光源技术，能量转换效率为ASML方案的2.25倍，设备体积缩小30%，功耗降低40%，成本仅为进口设备的1/3。
采用高能激光直接轰击锡滴，在电极间汽化锡材料后，通过高压放电（电压约10kV）激发等离子体，完全绕过激光轰击AMSL的专利。
清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶灵敏度达国际领先水平。
新凯来与长春光机所（奥普光电）联合开发EUV光学模组，永新光学供应纳米级镜片，新莱应材提供高洁净真空系统，形成国产化闭环。。技术瓶颈
当前EUV光源的稳定性、功率输出及光学系统分辨率与国际领先水平存在差距，需通过多次流片验证提升良率。
短期：聚焦DUV光刻机量产（2026年目标），通过SAQP工艺实现7nm/5nm制程，为EUV技术积累工程经验。
长期：计划2030年前实现EUV关键模块突破，包括光源、光学系统等核心部件自主可控
新凯来在2025年湾芯展上发布的“岳麓山BFI”量检测设备，进一步推动国产半导体设备从单点突破向全链闭环发展。新凯来的EUV预研不仅是技术突破，更代表中国从“替代”到“创新”的范式转换。
前线消息：
深圳湾馆还没开门，媒体证已经一号难求。
展馆最里头，新凯来搭了双层展台，外层贴着“干式DUV原型机首次公开演示’，内层拉帘封闭，只给预约客户看现场工作人员嘴里反复出现两个词:SAOP、5nm。SAOP就是“自对准四重成像”，用现有DUV光刻机硬啃5nm的秘籍。
新凯来把整套方案塞进自家“干式DUV”里，号称2026年小批量交付，国产化率从眼下的20%拉到50%，直接对标ASML1980Di。
还是干式啊
为啥湿不了呢？
mrchabuduo 写了： 2025年 10月 14日 21:51前线消息：
深圳湾馆还没开门，媒体证已经一号难求。
展馆最里头，新凯来搭了双层展台，外层贴着“干式DUV原型机首次公开演示’，内层拉帘封闭，只给预约客户看现场工作人员嘴里反复出现两个词:SAOP、5nm。SAOP就是“自对准四重成像”，用现有DUV光刻机硬啃5nm的秘籍。
新凯来把整套方案塞进自家“干式DUV”里，号称2026年小批量交付，国产化率从眼下的20%拉到50%，直接对标ASML1980Di。
中美大船，相向而行，无可奈何花落去。
夫妻梦碎，卖国求辱，同房丫鬟也将就。
沐猴而冠, 傻不厌诈，搬起石头砸自己脚.
三分像人，七分像鬼，英雄做不了奴才也难当
mrchabuduo 写了： 2025年 10月 14日 21:51前线消息：
深圳湾馆还没开门，媒体证已经一号难求。
展馆最里头，新凯来搭了双层展台，外层贴着“干式DUV原型机首次公开演示’，内层拉帘封闭，只给预约客户看现场工作人员嘴里反复出现两个词:SAOP、5nm。SAOP就是“自对准四重成像”，用现有DUV光刻机硬啃5nm的秘籍。
新凯来把整套方案塞进自家“干式DUV”里，号称2026年小批量交付，国产化率从眼下的20%拉到50%，直接对标ASML1980Di。
fake news
那完了，纯忽悠
中美大船，相向而行，无可奈何花落去。
夫妻梦碎，卖国求辱，同房丫鬟也将就。
沐猴而冠, 傻不厌诈，搬起石头砸自己脚.
三分像人，七分像鬼，英雄做不了奴才也难当
foofy 写了： 2025年 10月 14日 13:34新凯来采用“深紫外光刻（DUV）+自对准四重成像（SAQP）”工艺，绕开EUV限制，目标实现7nm/5nm制程芯片自主制造。同时，其EUV光源预研（13.5nm等离子体光源）已启动，瞄准3nm以下制程。
新凯来EUV光刻机产线良品率突破70%。这一良率水平被视为技术成熟的关键指标，接近ASML早期商业化阶段的初期表现。
EUV光刻技术采用激光诱导放电等离子体（LDP）光源技术，能量转换效率为ASML方案的2.25倍，设备体积缩小30%，功耗降低40%，成本仅为进口设备的1/3。
采用高能激光直接轰击锡滴，在电极间汽化锡材料后，通过高压放电（电压约10kV）激发等离子体，完全绕过激光轰击AMSL的专利。
清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶灵敏度达国际领先水平。
新凯来与长春光机所（奥普光电）联合开发EUV光学模组，永新光学供应纳米级镜片，新莱应材提供高洁净真空系统，形成国产化闭环。。技术瓶颈
当前EUV光源的稳定性、功率输出及光学系统分辨率与国际领先水平存在差距，需通过多次流片验证提升良率。
短期：聚焦DUV光刻机量产（2026年目标），通过SAQP工艺实现7nm/5nm制程，为EUV技术积累工程经验。
长期：计划2030年前实现EUV关键模块突破，包括光源、光学系统等核心部件自主可控
新凯来在2025年湾芯展上发布的“岳麓山BFI”量检测设备，进一步推动国产半导体设备从单点突破向全链闭环发展。新凯来的EUV预研不仅是技术突破，更代表中国从“替代”到“创新”的范式转换。
土工牛逼，一个2021年成立的公司吊打西方光刻机产业。这不是吹牛逼，是吹大象的逼。
Pinery 写了： 2025年 10月 15日 18:59中芯7nm芯片就是 DUV+SAQP 工艺，使用ASML 光刻机，这是十年前的技术。在EUV出来之前，TSMC也是用这种技术生产7nm。Intel一直用这技术生产10nm。
所以Intel才在sub10的竞争中完全被台积甩开了
中美大船，相向而行，无可奈何花落去。
夫妻梦碎，卖国求辱，同房丫鬟也将就。
沐猴而冠, 傻不厌诈，搬起石头砸自己脚.
三分像人，七分像鬼，英雄做不了奴才也难当
