新未名空间

因此，半导体制造未来的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂、更关键的刻蚀及薄膜沉积工艺。

llb 写了： 2025年 11月 10日 22:17

因此，半导体制造未来的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂、更关键的刻蚀及薄膜沉积工艺。

上一个弯道超车是北大王选的激光照排

10个7纳米芯片并联能赶得上一个1纳米芯片吗？

llb 写了： 2025年 11月 10日 22:17

因此，半导体制造未来的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂、更关键的刻蚀及薄膜沉积工艺。

你知道自己在说啥吗？

不光刻，怎么蚀刻？

外行都在乱说

redot 写了： 2025年 11月 10日 22:37

外行都在乱说

所以耗子是外行？

尼玛，招摇撞骗被戳穿了？

绕开半导体多好？

Waa 写了： 2025年 11月 10日 22:34

你知道自己在说啥吗？

不光刻，怎么蚀刻？

死了张屠夫 不吃混毛猪。没有EUV就不能蚀刻嘛

llb 写了： 2025年 11月 10日 22:17

因此，半导体制造未来的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂、更关键的刻蚀及薄膜沉积工艺。

真的科技分叉了？牛逼

vigo 写了： 2025年 11月 10日 23:00

死了张屠夫 不吃混毛猪。没有EUV就不能蚀刻嘛

你也是傻的啊。 决定精度的不是蚀刻。掩膜的精度才是重点啊。

所以喊光刻机的人，比如耗子。 国内不要。

为啥？

会造光刻机有一点用。 但是没大用。

midlander 写了： 2025年 11月 10日 23:04

真的科技分叉了？牛逼

应该是euv 做不下去了
所以。。。。

科普一下：光刻技术的难点，是掩膜图像的精度。 涉及光刻精度，光源的衍射。 掩膜的厚度和均一性。

光刻机， 光刻胶，工艺。

弃婴呢
阴不露呢
。。。。

就是往墙壁沉积吧

耗耗老师现在才知道
从08年32 nm double patterning 用spacer开始

就甴刻蚀的人说了算
光刻结果能否过关 刻蚀点头就才行

Linjiaojiao 写了： 2025年 11月 11日 00:42

耗耗老师现在才知道
从08年32 nm double patterning 用spacer开始

就甴刻蚀的人说了算
光刻结果能否过关 刻蚀点头就才行

大聪明, spacer 的pitch也是光刻定义的，更何况spacer不适于做2D pattern.

Etch点头是因为瓶颈在etch, 而不是etch解决了光刻的问题

您老的知识永远停留在2008年以前

Waa 写了： 2025年 11月 10日 23:11

科普一下：光刻技术的难点，是掩膜图像的精度。 涉及光刻精度，光源的衍射。 掩膜的厚度和均一性。

光刻机， 光刻胶，工艺。

现在光刻胶底下辅助层 barc ,hard mask , Carbon layer跟光刻胶同等重要
甚至光刻胶公司摆烂 我就这样 你自己想办法 得从辅助层想办法

Linjiaojiao 写了： 2025年 11月 11日 00:48

现在光刻胶底下辅助层 barc ,hard mask , Carbon layer跟光刻胶同等重要
甚至光刻胶公司摆烂 我就这样 你自己想办法 得从辅助层想办法

又露怯了，基于spacer 的double patterning早就没有barc了，因为解决不了footing

一直造墙就没光刻机的事

snowman 写了： 2025年 11月 11日 00:51

又露怯了，基于spacer 的double patterning早就没有barc了，因为解决不了footing

你个SB又出来
没BARC wafer 是镜子 光控个屁
通常stacking四种
｜organic barc。 CVD hard mask CVD amorphous carbon

1. Spin on hard mask (结会b arch 和hard mask) 和spin on carbon
   了，spin on hard Mack on CVD amorphous carbon
   4,很少 organic barc, CVD hard mask on spin carbon
   最常是1和2
   2便宜 但质量不好控
   你个Sb別来骗知识