国产10nm级光刻机实现交付！

[krzkrz]

这SB是鼻屎华

啥是鼻屎华？

[Linjiaojiao]

啥是鼻屎华？

某湾湾大人物称坡国鼻屎大

[redot]

各路人马，都来蹭

[Scraper]

你给咱千老简单解释一下，原理上这项目有什么问题？如果原理没问题到底是什么问题，以至于它成了个简单的骗局？

米华是不是在国外呆久了变傻了 还是假装外宾看不懂？

这么简单的一个吹牛逼骗钱的项目 米华竟然能上钩
国外呆久了 智商真的下降的厉害

[jiujianoufu]

相当不错了。祝贺。

[krzkrz]

你给咱千老简单解释一下，原理上这项目有什么问题？如果原理没问题到底是什么问题，以至于它成了个简单的骗局？

我不懂技术 但是我懂中国的资本市场

[krzkrz]

某湾湾大人物称坡国鼻屎大

原来也是个马来猴子 跟那个footy差不多货色

是不是马甲？

[krzkrz]

你给咱千老简单解释一下，原理上这项目有什么问题？如果原理没问题到底是什么问题，以至于它成了个简单的骗局？

原理上来说 核聚变发电也没问题 但是有人忽悠你说给我投钱 三年后商用量产 你就知道这绝壁就是个骗子

这么简单的道理 还要千老才能懂？

[redot]

原理上来说 核聚变发电也没问题 但是有人忽悠你说给我投钱 三年后商用量产 你就知道这绝壁就是个骗子

这么简单的道理 还要千老才能懂？

呵呵，世界上第一个商用核聚变电厂已经开建。 是不是骗钱啊 - 这个公司甚至还没有成功试验过？
毫不意外，在美国，由open爱的奥特曼投资。。。。的

[hhcare]

码了个八字，怪不得耗子最近有点歇斯底里。泥马饭碗快被天朝砸了，瓦特法克。

牙龈骗子

[verdelite]

呵呵，世界上第一个商用核聚变电厂已经开建。 是不是骗钱啊 - 这个公司甚至还没有成功试验过？
毫不意外，在美国，由open爱的奥特曼投资。。。。的

给你记录一下，三年后看它是偃旗息鼓还是并网发电，很简单的。

[verdelite]

呵呵，世界上第一个商用核聚变电厂已经开建。 是不是骗钱啊 - 这个公司甚至还没有成功试验过？
毫不意外，在美国，由open爱的奥特曼投资。。。。的

等你明白了世人皆傻的道理，你就知道骗子存在的基础是很大的。

[krzkrz]

呵呵，世界上第一个商用核聚变电厂已经开建。 是不是骗钱啊 - 这个公司甚至还没有成功试验过？
毫不意外，在美国，由open爱的奥特曼投资。。。。的

呵呵 这么明显的一个骗局 因为是丑国白大爷搞的 就不是骗子了？ 你们鼻屎国华人是不是都喜欢跪舔白皮啊？

[krzkrz]

给你记录一下，三年后看它是偃旗息鼓还是并网发电，很简单的。

这么简单的一个骗术 只能骗到看到白皮大爷就湿透了的海华了

[verdelite]

呵呵 这么明显的一个骗局 因为是丑国白大爷搞的 就不是骗子了？ 你们鼻屎国华人是不是都喜欢跪舔白皮啊？

专骗那些没有认识到世人皆傻原理的人。

[krzkrz]

专骗那些没有认识到世人皆傻原理的人。

最主要还是白皮崇拜心理作祟

[sanguan]

这种成熟工艺都能喷， 傻逼真多

佳能半导体纳米压印技术的真正实力

2024/03/26

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日经BP精选

荷兰ASML（阿斯麦）的极紫外光（EUV）曝光装置是制造数纳米先进半导体所必不可少的工具。然而，这一常规或许已经被日本佳能公司打破。其原因是佳能长年来从事研发的纳米压印（NIL）装置成功实现了商业化（图1），并于2023年10月13日开始销售。该装置可绘制5纳米级半导体工艺所需要的最小线宽为14纳米的电路图案，性能接近ASML开口数为0.33的EUV曝光装置所能实现的最小线宽13纳米的性能。据佳能光学机器业务本部副业务总部长岩本和德表示，“已收到大量咨询，特别是受到来自研发及光学领域的关注”。



图1：纳米压印半导体制造装置“FPA-1200NZ2C”

（摄影：《日经xTECH》）



纳米压印装置是一种像盖章一样的，将纳米级别的图案刻在掩膜上，然后将图案转印的技术。使用纳米压印有两个优点：与EUV相比，可以减少工艺步骤，并且能将耗电量降至原来的十分之一（表1）。



表1：纳米压印（NIL）一次就可制造出复杂的图案

（数据来源：《日经xTECH》根据阿斯麦和佳能的产品规格绘制）



单次曝光就可以制造出复杂的图案



佳能纳米压印装置的图案转印过程如下。首先，利用佳能的喷墨技术，将液滴状的抗蚀剂涂布到晶圆上。然后，将刻有电路图案的掩膜压在抗蚀剂上，从上方照射紫外光，使抗蚀剂固化。待固化完成后，再将掩膜剥离（图2）。


图2：转印方式的比较

（数据来源：《日经xTECH》根据佳能的资料绘制）



纳米压印可以依照上述方法直接转印图案，因此即便是复杂图案的转印，也可在一次曝光中完成。如果依靠光刻的方式，只能在一次曝光中转印纵向或横向的形状（注1）。因此，如果有斜向图案或者多种图案交织在一起，就需要进行多次曝光。随着曝光次数的增加，其他工艺步骤（如蚀刻等）也会相应增加。



（注1）使用根据横、纵方向优化曝光条件的曝光方式。如果纵向和横向图案混合在一起，边缘的曝光分辨率会降低，边缘的图案会呈现锯齿状，因此需要分开曝光。



在复制掩膜上形成图案



纳米压印使用的是刻有实际尺寸图案的掩膜。据佳能介绍，他们使用电子束绘制实际尺寸的母掩膜，然后使用纳米压印装置制作出复制掩膜（图3）。由于纳米压印装置会使掩膜间出现直接的按压接触，与光刻方式相比更容易导致掩膜出现缺陷。因此会使用母掩膜大量制造出复制掩膜，并以良品替换缺陷品。具体一张母掩膜可以制造多少复制掩膜尚未公开。岩本和德表示，“线宽越小，制造复制掩膜就更加困难”。


图3：以母掩模为基础，制造很多副本掩膜

（出处：《日经xTECH》）



耗电量只有EUV曝光的十分之一



由于纳米压印的制造工艺简单，因此耗电量非常小。如前文所述，耗电量只有EUV曝光的十分之一（图4）。此外，装置结构也很简单，因此虽未公布详细的价格，但比EUV曝光装置的价格要便宜。



图4：耗电量是EUV的十分之一

（摄影：《日经xTECH》）



EUV曝光的耗电量之所以大，是因为光源的衰减大。在EUV曝光中，为实现精细加工，使用了波长为13.5纳米的极紫外光。这种光在空气及透镜中的光吸收非常大，如果以传统的透镜方式，光线将无法到达晶圆。因此，在EUV曝光中，通过将曝光机内部做成真空，用镜子反射光的方式，尽可能减少吸收，使光照射到晶圆上。然而，即便采用这种方法，由于镜子的反射率并非100％，因此光在到达晶圆之前便会衰减，能源效率约为5％。



实现实用化的3个要素



佳能多年来一直致力于纳米压印（NIL）的研究开发，被认为是通过开发出以下3项技术实现了产品化。即（1）高精度重叠；（2）畸变校正；（3）颗粒去除。



（1）“高精度重叠”，是通过将激光照射到晶圆和掩膜的四个角，来读取对准标记（Alignment mark），以1纳米以下的精度测量出位置，并以小于4纳米的精度进行重叠。重叠精度要求达到线宽的五分之一到六分之一。



（2）“畸变校正”，是通过从掩膜和晶圆的上方照射激光，加热以校正畸变（图5）。这利用到了晶圆和掩膜在线膨胀系数上的差异。晶圆的线膨胀系数比掩膜的大10倍，更加容易伸缩，因此可通过对两者分配不同的热量来对畸变进行校正。


图5 利用线膨胀系数差异进行畸变校正

（出处：《日经xTECH》



（3）“颗粒去除”，是通过配备高性能过滤器和空气幕（Air curtain）使得晶圆上不会有颗粒附着，从而实现了比普通曝光装置更高的清洁环境（图6）。颗粒指的是微粒子杂质。如果晶圆上有颗粒附着，在压印掩膜时，颗粒会卡在图案的沟槽中，从而损坏掩膜。因此，对于工作环境有非常高的清洁度要求。

[verdelite]

最主要还是白皮崇拜心理作祟

没认识到世人皆傻原理，会导致崇洋媚外心理，也就是外发心理。

路径如下：不明白世人皆傻 -> 没有破除圣人崇拜 -> 圣人在哪里 -> 他们不在身边（因为世界上就没有圣人，只要你了解的人你就知道他们不是圣人） -> 圣人在远方，在不了解的人里面 -> 在西藏，在犹太，在玛雅人，在北欧，在俄国，在美国，在火星，反正不在身边，不在了解的人里面，我相信外人，坑自己人 -> 这就是妥妥的外发思想。

王毅：“我们把你们想得太好了”，就是这一思想的写照。

[Linjiaojiao]

这种成熟工艺都能喷， 傻逼真多

佳能半导体纳米压印技术的真正实力

2024/03/26

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日经BP精选

荷兰ASML（阿斯麦）的极紫外光（EUV）曝光装置是制造数纳米先进半导体所必不可少的工具。然而，这一常规或许已经被日本佳能公司打破。其原因是佳能长年来从事研发的纳米压印（NIL）装置成功实现了商业化（图1），并于2023年10月13日开始销售。该装置可绘制5纳米级半导体工艺所需要的最小线宽为14纳米的电路图案，性能接近ASML开口数为0.33的EUV曝光装置所能实现的最小线宽13纳米的性能。据佳能光学机器业务本部副业务总部长岩本和德表示，“已收到大量咨询，特别是受到来自研发及光学领域的关注”。



图1：纳米压印半导体制造装置“FPA-1200NZ2C”

（摄影：《日经xTECH》）



纳米压印装置是一种像盖章一样的，将纳米级别的图案刻在掩膜上，然后将图案转印的技术。使用纳米压印有两个优点：与EUV相比，可以减少工艺步骤，并且能将耗电量降至原来的十分之一（表1）。



表1：纳米压印（NIL）一次就可制造出复杂的图案

（数据来源：《日经xTECH》根据阿斯麦和佳能的产品规格绘制）



单次曝光就可以制造出复杂的图案



佳能纳米压印装置的图案转印过程如下。首先，利用佳能的喷墨技术，将液滴状的抗蚀剂涂布到晶圆上。然后，将刻有电路图案的掩膜压在抗蚀剂上，从上方照射紫外光，使抗蚀剂固化。待固化完成后，再将掩膜剥离（图2）。


图2：转印方式的比较

（数据来源：《日经xTECH》根据佳能的资料绘制）



纳米压印可以依照上述方法直接转印图案，因此即便是复杂图案的转印，也可在一次曝光中完成。如果依靠光刻的方式，只能在一次曝光中转印纵向或横向的形状（注1）。因此，如果有斜向图案或者多种图案交织在一起，就需要进行多次曝光。随着曝光次数的增加，其他工艺步骤（如蚀刻等）也会相应增加。



（注1）使用根据横、纵方向优化曝光条件的曝光方式。如果纵向和横向图案混合在一起，边缘的曝光分辨率会降低，边缘的图案会呈现锯齿状，因此需要分开曝光。



在复制掩膜上形成图案



纳米压印使用的是刻有实际尺寸图案的掩膜。据佳能介绍，他们使用电子束绘制实际尺寸的母掩膜，然后使用纳米压印装置制作出复制掩膜（图3）。由于纳米压印装置会使掩膜间出现直接的按压接触，与光刻方式相比更容易导致掩膜出现缺陷。因此会使用母掩膜大量制造出复制掩膜，并以良品替换缺陷品。具体一张母掩膜可以制造多少复制掩膜尚未公开。岩本和德表示，“线宽越小，制造复制掩膜就更加困难”。


图3：以母掩模为基础，制造很多副本掩膜

（出处：《日经xTECH》）



耗电量只有EUV曝光的十分之一



由于纳米压印的制造工艺简单，因此耗电量非常小。如前文所述，耗电量只有EUV曝光的十分之一（图4）。此外，装置结构也很简单，因此虽未公布详细的价格，但比EUV曝光装置的价格要便宜。



图4：耗电量是EUV的十分之一

（摄影：《日经xTECH》）



EUV曝光的耗电量之所以大，是因为光源的衰减大。在EUV曝光中，为实现精细加工，使用了波长为13.5纳米的极紫外光。这种光在空气及透镜中的光吸收非常大，如果以传统的透镜方式，光线将无法到达晶圆。因此，在EUV曝光中，通过将曝光机内部做成真空，用镜子反射光的方式，尽可能减少吸收，使光照射到晶圆上。然而，即便采用这种方法，由于镜子的反射率并非100％，因此光在到达晶圆之前便会衰减，能源效率约为5％。



实现实用化的3个要素



佳能多年来一直致力于纳米压印（NIL）的研究开发，被认为是通过开发出以下3项技术实现了产品化。即（1）高精度重叠；（2）畸变校正；（3）颗粒去除。



（1）“高精度重叠”，是通过将激光照射到晶圆和掩膜的四个角，来读取对准标记（Alignment mark），以1纳米以下的精度测量出位置，并以小于4纳米的精度进行重叠。重叠精度要求达到线宽的五分之一到六分之一。



（2）“畸变校正”，是通过从掩膜和晶圆的上方照射激光，加热以校正畸变（图5）。这利用到了晶圆和掩膜在线膨胀系数上的差异。晶圆的线膨胀系数比掩膜的大10倍，更加容易伸缩，因此可通过对两者分配不同的热量来对畸变进行校正。


图5 利用线膨胀系数差异进行畸变校正

（出处：《日经xTECH》



（3）“颗粒去除”，是通过配备高性能过滤器和空气幕（Air curtain）使得晶圆上不会有颗粒附着，从而实现了比普通曝光装置更高的清洁环境（图6）。颗粒指的是微粒子杂质。如果晶圆上有颗粒附着，在压印掩膜时，颗粒会卡在图案的沟槽中，从而损坏掩膜。因此，对于工作环境有非常高的清洁度要求。

成熟个鸟
你看那家生产线上用了
在最佳窗口期05到15年 EUV难产期都不能抓住机会 让EUV翻盘就永远不会有机会
最大问题是mask cost。 Efficiency , mask clean 关键问题一个没解决
必须相信 在技术路径选上 小日子永远是错的

[sanguan]

兆驰半导体已经压印量产了， 不是什么高端芯片但是说明至少技术上可行