台积电稀土库存5周,5周后就会玩
台积电制造nvda芯片量很大,要审批的话,中国只需审批速度慢一些,纳指就会崩
床铺不见棺材不落泪啊
版主: Softfist

台湾一年进口3000吨稀土,其中半导体行业的有不少,以前管的太松,经常蒙混过关,以后都要报名审批,尤其是高端芯片制造要用的稀土
所以你鳖绝无可能延迟交付
中美大船,相向而行,无可奈何花落去。
夫妻梦碎,卖国求辱,同房丫鬟也将就。
沐猴而冠, 傻不厌诈,搬起石头砸自己脚.
三分像人,七分像鬼,英雄做不了奴才也难当

镧、钇
高密度等离子刻蚀机在蚀刻SiO等介质时,会使用含氟、氯的强腐蚀性等离子体,若腔体部件直接接触,易被侵蚀并缩短寿命。解决方案是在刻蚀机关键部件(腔体内衬、射频天线盖片、束流环等)表面涂覆氧化钇(YO)或氟化钇(YF)陶瓷涂层:钇(Y)的氧化物化学稳定性极高,在氟等离子环境中可生成致密的YF保护层,避免进一步被侵蚀;相比普通石英、氧化铝陶瓷涂层,YO涂层可将部件使用寿命延长数倍,因此主流刻蚀设备厂商广泛采用YO涂层部件。虽单台设备YO用量仅以千克计,但全球刻蚀设备保有量巨大,形成对高纯YO材料的持续需求。
随着电子技术向高性能、多功能、大容量、微型化方向发展,半导体芯片集成度越来越高,晶体管尺寸越来越小,传统的二氧化硅(SiO)栅介质薄膜就会存在漏电甚至绝缘失效的问题,目前采用铪、锆及稀土改性的稀有金属氧化物薄膜解决核心漏电问题。如果进一步降低线宽,则需采用更高介电常数的稀土栅介质材料。
在实际应用中,行业以HfO作为高k介质主体,并通过掺入稀土元素(如镧、钇)进一步优化性能。在高k/金属栅(HKMG)工艺中,通过在HfO表面沉积数埃厚的氧化镧(LaO),再经高温退火使镧扩散至介质/硅界面,可产生界面偶极效应,有效降低MOSFET晶体管的阈值电压,满足先进制程对低功耗、高开关速度的需求。

弃婴千枝 写了: 2025年 10月 11日 10:08镧、钇
高密度等离子刻蚀机在蚀刻SiO等介质时,会使用含氟、氯的强腐蚀性等离子体,若腔体部件直接接触,易被侵蚀并缩短寿命。解决方案是在刻蚀机关键部件(腔体内衬、射频天线盖片、束流环等)表面涂覆氧化钇(YO)或氟化钇(YF)陶瓷涂层:钇(Y)的氧化物化学稳定性极高,在氟等离子环境中可生成致密的YF保护层,避免进一步被侵蚀;相比普通石英、氧化铝陶瓷涂层,YO涂层可将部件使用寿命延长数倍,因此主流刻蚀设备厂商广泛采用YO涂层部件。虽单台设备YO用量仅以千克计,但全球刻蚀设备保有量巨大,形成对高纯YO材料的持续需求。
随着电子技术向高性能、多功能、大容量、微型化方向发展,半导体芯片集成度越来越高,晶体管尺寸越来越小,传统的二氧化硅(SiO)栅介质薄膜就会存在漏电甚至绝缘失效的问题,目前采用铪、锆及稀土改性的稀有金属氧化物薄膜解决核心漏电问题。如果进一步降低线宽,则需采用更高介电常数的稀土栅介质材料。
在实际应用中,行业以HfO作为高k介质主体,并通过掺入稀土元素(如镧、钇)进一步优化性能。在高k/金属栅(HKMG)工艺中,通过在HfO表面沉积数埃厚的氧化镧(LaO),再经高温退火使镧扩散至介质/硅界面,可产生界面偶极效应,有效降低MOSFET晶体管的阈值电压,满足先进制程对低功耗、高开关速度的需求。
都是optional的东西。工艺之路千万条中的一条而已。
甚至都谈不上nice to have 。

哦,你说不用就不用?
那床铺还急赤白脸个啥?
你快去给床铺留言啊,半导体不用稀土,床铺无知,自己吓唬自己嘛
你还可以去找asml去,人家要停工了,你这个人才解决问题去啊