新未名空间

新凯来采用“深紫外光刻（DUV）+自对准四重成像（SAQP）”工艺，绕开EUV限制，目标实现7nm/5nm制程芯片自主制造。同时，其EUV光源预研（13.5nm等离子体光源）已启动，瞄准3nm以下制程。

新凯来EUV光刻机产线良品率突破70%。这一良率水平被视为技术成熟的关键指标，接近ASML早期商业化阶段的初期表现。

EUV光刻技术采用激光诱导放电等离子体（LDP）光源技术，能量转换效率为ASML方案的2.25倍，设备体积缩小30%，功耗降低40%，成本仅为进口设备的1/3‌。
采用高能激光直接轰击锡滴，在电极间汽化锡材料后，通过高压放电（电压约10kV）激发等离子体，完全绕过激光轰击AMSL的专利‌。
清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶灵敏度达国际领先水平‌。
新凯来与长春光机所（奥普光电）联合开发EUV光学模组，永新光学供应纳米级镜片，新莱应材提供高洁净真空系统，形成国产化闭环‌。。

技术瓶颈‌

当前EUV光源的稳定性、功率输出及光学系统分辨率与国际领先水平存在差距，需通过多次流片验证提升良率‌。

短期‌：聚焦DUV光刻机量产（2026年目标），通过SAQP工艺实现7nm/5nm制程，为EUV技术积累工程经验‌。
‌长期‌：计划2030年前实现EUV关键模块突破，包括光源、光学系统等核心部件自主可控‌
新凯来在2025年湾芯展上发布的“岳麓山BFI”量检测设备，进一步推动国产半导体设备从单点突破向全链闭环发展。新凯来的EUV预研不仅是技术突破，更代表中国从“替代”到“创新”的范式转换。

牛X

几个月前讨论过了
反射镜 光学系统啥的都有突破了
现在缺的是大功率激光

清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶灵敏度达国际领先水平‌。

林椒椒说这个是扯淡

大功率激光也没有问题， 几十个小点的激光器用原子钟控制同步发射就可以了

尼玛
这也行？

sanguan 写了： 2025年 10月 14日 13:38

大功率激光也没有问题， 几十个小点的激光器用原子钟控制同步发射就可以了

supremedsb 写了： 2025年 10月 14日 13:40

尼玛
这也行？

Sounds doable, Beidou has the best of atom clock in the world, it seems doable with China's capability.

对于EUV光刻所需的 CO₂激光器，其“同步”至少需要满足四个维度的完美统一，缺一不可：

同步维度 要求 挑战
时间同步 所有激光脉冲必须在皮秒级内同时到达靶点。 原子钟本身可以提供精确的时钟信号，但信号分配到每个激光器、激光器本身的电光响应延迟、光学路径长度的差异，都需要被精确测量和补偿到微米级别。

空间同步 所有激光束必须在三维空间上完美重叠，聚焦在同一个极小的锡滴上。 每个激光束都有自己的指向性抖动和光束质量差异。确保几十个光束在高速振镜系统后，仍能长期稳定地重合在一个25微米的锡滴上，是一个巨大的光学和控制系统难题。

相位同步 各个激光束的波前相位必须一致。 如果激光束是相干的，但相位不同，它们会发生相长或相消干涉，导致焦点处的光强分布不均匀、热点和冷点，无法稳定、均匀地加热锡滴。

偏振同步 所有激光束的偏振方向必须一致。 偏振态影响激光与等离子体的耦合效率。不一致的偏振会降低整体转换效率。

简单来说： 这就像要求几十个狙击手，从不同位置，同时开枪，并要求所有子弹在飞行过程中还能自动调整，最终在同一皮秒、击中同一个硬币上的同一个微观质点。这远比“同时开枪”要复杂。

1. 光谱与模式控制

光谱一致性：每个激光器的输出波长和线宽需要有高度的一致性。否则，不同波长的光在聚焦时会产生色差，导致焦斑变大、功率密度下降。

光束质量：每个激光器都必须输出接近衍射极限的高质量光束。任何一个激光器的光束质量下降，都会污染整个合成光束，降低焦点处的功率密度。

1. 成本与复杂性

系统复杂性：几十套激光器意味着几十套独立的电源、冷却、控制和诊断系统。其复杂性呈指数级增长，可靠性则可能呈指数级下降。一个由20个模块组成的系统，其故障概率远高于单个系统。
成本问题：开发和维护这样一套极端精密的同步合成系统，其成本可能远超研发一个更高功率的单管激光器。ASML和通快选择单管CO₂激光器路线，正是在权衡了所有技术路径后，认为其是性价比和可靠性最高的方案。

sanguan 写了： 2025年 10月 14日 13:38

大功率激光也没有问题， 几十个小点的激光器用原子钟控制同步发射就可以了

这是一个解决办法. 小型原子钟是军工技术. 只要不出口, 这玩意还是可以用的.

supremedsb 写了： 2025年 10月 14日 13:38

清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶灵敏度达国际领先水平‌。

林椒椒说这个是扯淡

EUV光刻胶的挑战，其实不是灵敏度

是啥？

snowman 写了： 2025年 10月 14日 16:17

EUV光刻胶的挑战，其实不是灵敏度

supremedsb 写了： 2025年 10月 14日 16:20

是啥？

传统树脂受到高能量粒子打击时造成的边缘均一度不稳定

snowman 写了： 2025年 10月 14日 16:17

EUV光刻胶的挑战，其实不是灵敏度

光刻胶被小本子掌控，对鳖的难度高于EUV光源

你丫行家啊
我以前认识个钱老去罗门哈斯做光刻胶
牛逼哄哄不得了，说就是要解决均一度问题

snowman 写了： 2025年 10月 14日 16:22

传统树脂受到高能量粒子打击时造成的边缘均一度不稳定

supremedsb 写了： 2025年 10月 14日 16:26

你丫行家啊
我以前认识个钱老去罗门哈斯做光刻胶
牛逼哄哄不得了，说就是要解决均一度问题

RH当年需要经常请叔吃饭，叔才会给他们一点有价值的建议

你丫应该回你鳖爆笑祖国！

snowman 写了： 2025年 10月 14日 16:27

RH当年需要经常请叔吃饭，叔才会给他们一点有价值的建议

snowman 写了： 2025年 10月 14日 16:22

传统树脂受到高能量粒子打击时造成的边缘均一度不稳定

又在胡扯 化学放大光刻胶的边与光只有一定关亲还取决于PGA与quencher比例 bake温度 边可调 边在那里都不知道还粒子打击
E UV的光刻胶比193好做的多 从化学合成角度

supremedsb 写了： 2025年 10月 14日 16:26

你丫行家啊
我以前认识个钱老去罗门哈斯做光刻胶
牛逼哄哄不得了，说就是要解决均一度问题

这是杜邦解决的问题 出来的polymer要alternative 没有不同单体unit的聚集
RH只管混 调下比例 还搞不过小日子
决定光刻胶的是杜帮

Linjiaojiao 写了： 2025年 10月 14日 18:30

又在胡扯 化学放大光刻胶的边与光只有一定关亲还取决于PGA与quencher比例 bake温度 边可调 边在那里都不知道还粒子打击
E UV的光刻胶比193好做的多 从化学合成角度

你又胡咧咧了，还拿157的技术套EUV?
EUV光刻胶需要解决的问题和传统光刻胶完全不同，边缘粗糙度不是通过简单的PGA quencher 比例就可以搞定的，需要加入特殊物质提高稳定性。

但是随之会产生其他问题（比如outgassing), 和传统光刻胶完全就是different beast

PPTT123 写了： 2025年 10月 14日 16:24

光刻胶被小本子掌控，对鳖的难度高于EUV光源

正好相反 光刻胶对鳖不是事
机才太可怕